EGW40N120 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 417W TO247

EGW40N120 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 417W TO247

SNE SOMETEL
EGW40N120

TRANSISTOR: IGBT; 1,2KV; 40A; 417W; TO247

FICHE TECHNIQUE

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20,000 TND
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Garanties sécurité

 

Politique de livraison

 

Politique retours

  • Type de transistor : IGBT
  • Tensions collecteur-émetteur : 1,2kV
  • Courant du collecteur : 40A
  • Puissance de dissipation : 417W
  • Boîtier : TO247
  • Tension entrée – émetteur : ±20V
  • Courant du collecteur d'impulsion : 160A
  • Montage : THT
  • Charge d'entrée : 250nC
  • Temps de connection : 135ns
  • Temps d'extinction : 270ns
  • Caractéristiques des éléments semi-conducteurs : integrated anti-parallel diode
: EGW40N120
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