WG40N65DF TRANSISTOR IGBT 40A 650V 125W TO247

WG40N65DF TRANSISTOR IGBT 40A 650V 125W TO247

SNE SOMETEL
WG40N65DF
15,000 TND
TTC
Quantité souhaitée

Disponible
  • Type de transistor: IGBT
  • Tensions collecteur-émetteur: 650V
  • Courant du collecteur: 40A
  • Puissance de dissipation: 125W
  • Boîtier: TO247-3
  • Tension entrée – émetteur: ±20V
  • Courant du collecteur d'impulsion: 120A
  • Montage: THT
  • Charge d'entrée: 173nC
  • Temps de connection: 95ns
  • Temps d'extinction: 378ns
  • Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode

: WG40N65DF
Prix sur demande