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- Type de transistor : IGBT
- Tensions collecteur-émetteur : 1,2kV
- Courant du collecteur : 40A
- Puissance de dissipation : 197W
- Boîtier : TO247-3
- Tension entrée – émetteur : ±20V
- Courant du collecteur d'impulsion : 120A
- Montage : THT
- Charge d'entrée : 310nC
- Temps d'extinction : 440ns
- Caractéristiques des éléments semi-conducteurs : reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
